Категории

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

  • Автор: Мармалюк А.А., Акчурин Р.Х.

  • Переплет: мягкий
  • Страниц: 488
  • Формат: 20x14x3.6 см
  • Вес: 500 г
  • ISBN: 978-5-94836-521-3
  • Серия: Мир материалов и технологий

  • Год издания: 2018
  • Язык издания: русский

34407271

Наличие: ОТПРАВКА В ТЕЧЕНИЕ 9-13 РАБОЧИХ ДНЕЙ

623 Kč

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.