Категории

Технология выращивания кристаллов нитрида галлия

  • Переплет: твердый
  • Страниц: 384
  • Формат: 26x19.5x2.9 см
  • Вес: 847 г
  • ISBN: 978-5-94836-293-9
  • Серия: Мир радиоэлектроники

  • Год издания: 2011

44281539

Наличие: ОТПРАВКА В ТЕЧЕНИЕ 9-13 РАБОЧИХ ДНЕЙ

683 Kč

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.